2N7051詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：200nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：200MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：散裝
2N7051_D10Z詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：200nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：200MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：帶卷 (TR)
2N7052詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：IC TRANS NPN DARL SS 1.5A TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：200nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：200MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：散裝
2N7052_D74Z詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-92
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：200nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V
- 功率_最大：625mW
- 頻率_轉換：200MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應商設備封裝：TO-92-3
- 包裝：帶盒（TB）
2N7053詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-226
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：200nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V
- 功率_最大：1W
- 頻率_轉換：200MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝：TO-226
- 包裝：散裝
2N7053_D26Z詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN 100V TO-226
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：200nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 1A，5V
- 功率_最大：1W
- 頻率_轉換：200MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應商設備封裝：TO-226
- 包裝：帶卷 (TR)
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 2917（7343 公制） TERM BARRIER 23CIRC SGL ROW .325
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 2917（7343 公制） 3G3_X OUTPUT AC REACTOR
- FET - 單 Diodes Inc SC-70，SOT-323 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
- 單芯導線 Alpha Wire SC-70，SOT-323 3131000 TAN 1000 FT
- 用于 IC 的插座，晶體管 TE Connectivity SC-70，SOT-323 CONN TRANS SKT 8PIN PRINTED CIR
- 存儲器 Microchip Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC EEPROM 1KBIT 10MHZ 8DIP
- 配件 C&K Components HDWR ASSY ROD 5-7 MODULES SER 3
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TERM BARRIER 9CIRC SGL ROW .325
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 0.24 OHM 3W 5% AXIAL
- 單芯導線 Alpha Wire TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 3131265 TAN 1000 FT
- 矩形 - 接頭，專用引腳 TE Connectivity TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 CONN PLUG ADPT 16PIN SLOTTED
- 存儲器 Microchip Technology 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC EEPROM 1KBIT 10MHZ 8SOIC
- 配件 C&K Components 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HDWR ASSY ROD 5-7 MODULES SER 3
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TERM BARRIER 26CIRC SGL ROW .325
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 0.30 OHM 3W 5% AXIAL
0755-83200050 
