2SA1160-B(TE6,F,M)詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS PNP 10V 2A TO-92
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，2A
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 500mA，1V
- 功率_最大：900mW
- 頻率_轉換：140MHz
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 長體
- 供應商設備封裝：LSTM
- 包裝：帶盒（TB）
2SA1162-GR(TE85L,F))詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V
- 功率_最大：150mW
- 頻率_轉換：80MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：S-Mini
- 包裝：Digi-Reel®
2SA1162-GR(TE85L,F))詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V
- 功率_最大：150mW
- 頻率_轉換：80MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：S-Mini
- 包裝：帶卷 (TR)
2SA1162-GR(TE85L,F))詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V
- 功率_最大：150mW
- 頻率_轉換：80MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：S-Mini
- 包裝：剪切帶 (CT)
2SA1162GT1詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR PNP 50V 150MA SC-59
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V
- 功率_最大：200mW
- 頻率_轉換：80MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SC-59
- 包裝：帶卷 (TR)
2SA1162S-GR,LF詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：70 @ 2mA，6V
- 功率_最大：150mW
- 頻率_轉換：80MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：S-Mini
- 包裝：帶卷 (TR)
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 3-SMD，扁平引線 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .325
- 晶體管(BJT) - 單路 Toshiba TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP 50V 150MA S-MINI
- FET - 單 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 200V 15A TO220NIS
- 配件 Littelfuse Inc TO-220-3 整包 BUSBAR 1 PHASE 12 POLE 18X208MM
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-3 整包 3G3MX2 EMC FILTER,3G3MX2-A2150
- FET - 單 ON Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TO-3P-3，SC-65-3 TERM BARRIER 5CIRC SGL ROW .325
- 矩形- 接頭，公引腳 TE Connectivity TO-3P-3，SC-65-3 CONN HEADER 6POS VERT TIN .100
- 絕緣體 Bivar Inc TO-3P-3，SC-65-3 PERM-O-PADS RND
- 配件 Littelfuse Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BUSBAR 1 PHASE 12 POLE 18X208MM
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3G3MX2 EMC FILTER,A2001,2,4,7
- 電容器 Rubycon 2917（7343 公制） CAP ALUM 100UF 2V 20% SMD
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 2917（7343 公制） TERM BARRIER 7CIRC SGL ROW .325
- 搖臂 APEM Components, LLC 2917（7343 公制） SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
- D形，Centronics 3M 2917（7343 公制） CABLE ASSY MDR 36POS M-M 6FT
13480301972 
