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2SA2029M3T5G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 50V 100MA SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V; 功率_最大：265mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應商設備封裝：SOT-723; 包裝：剪切帶 (CT)

2SA2029T2LQ詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應商設備封裝：VMT3; 包裝：Digi-Reel®

2SA2029T2LQ詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應商設備封裝：VMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

2SA2029T2LQ詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應商設備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

2SA2029T2LR詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 50V 0.15A VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 1mA，6V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應商設備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

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配件 Omron Electronics Inc-IA Div DO-216AA 3G3RX EMC FILTER, 3G3RX-A4055/
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