

2SC3837KT146N詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-346 TR
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 10mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:1.5GHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SMT3
- 包裝:帶卷 (TR)
2SC3837KT146P詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:1.5GHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SMT3
- 包裝:帶卷 (TR)
2SC3837KT146P詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:1.5GHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SMT3
- 包裝:剪切帶 (CT)
2SC3837KT146P詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:1.5GHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SMT3
- 包裝:Digi-Reel®
2SC3838KT146N詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):11V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 5mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:3.2GHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SMT3
- 包裝:剪切帶 (CT)
2SC3838KT146N詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):11V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:56 @ 5mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:3.2GHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SMT3
- 包裝:Digi-Reel®
- 單二極管/整流器 Microsemi Power Products Group TO-247-2 DIODE ULT FAST 75A 1200V TO-247
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-247-2 PADDLE SW COVER FOR INCANDSCENT
- 存儲器 Atmel 8-UDFN 裸露焊盤 IC EEPROM 8KBIT 4MHZ 8MAP
- 按鈕 Omron Electronics Inc-IA Div 8-UDFN 裸露焊盤 SWITCH PUSH SPST-NC 10A 110V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8-UDFN 裸露焊盤 SWITCH PLATE E-STOP RUN/INCH
- FET - 陣列 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET DUAL N-CH 60V 6.3A 8-SOIC
- FET - 單 Microsemi Power Products Group TO-247-3 變式 MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-247-3 變式 PADDLE SW COVER FOR INCANDSCENT
- 按鈕 Omron Electronics Inc-IA Div TO-247-3 變式 SWITCH PUSH SPST-NO 10A 110V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SWITCH PLATE E-STOP FEED STOP
- FET - 陣列 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET DUAL N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
- 配件 Honeywell Sensing and Control 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) PADDLE SW COVER FOR INCANDSCENT
- FET - 單 Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
- 存儲器 Atmel 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC EEPROM 16KBIT 13MHZ 8SOIC
- 按鈕 Omron Electronics Inc-IA Div 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) SWITCH PUSH DPST-NC 10A 110V