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2SC54 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SC5415AE-TD-E詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
頻率_轉換:6.7GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):1.1dB @ 1GHz
增益:9dB
功率_最大:800mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:90 @ 30mA,5V
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SC54190RA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MT-2
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):70mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,10V
功率_最大:1W
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:MT-2-A1
包裝:帶盒(TB)

2SC54190RA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA MT-2
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):70mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 5mA,10V
功率_最大:1W
頻率_轉換:50MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:3-SIP
供應商設備封裝:MT-2-A1
包裝:剪切帶 (CT)

2SC5439(F)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 450V 8A TO220NIS
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):450V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 640mA,3.2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:14 @ 1A,5V
功率_最大:2W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220NIS
包裝:管件

2SC5458(TE16L1,NQ)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 400V 0.8A PW-MOLD
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):800mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 40mA,300mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 100mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PW-MOLD
包裝:帶卷 (TR)

2SC5465(Q)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 800V 0.8A PW-MOLD
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):800mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):800V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 60mA,300mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 1mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PW-MOLD
包裝:散裝

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