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2SD2670TL 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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2SD2670TL詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 12V 3A TSMT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 30mA，1.5A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：270 @ 500mA，2V
功率_最大：1W
頻率_轉換：360MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：TSMT3
包裝：Digi-Reel®

2SD2670TL詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 12V 3A TSMT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 30mA，1.5A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：270 @ 500mA，2V
功率_最大：1W
頻率_轉換：360MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：TSMT3
包裝：剪切帶 (CT)

2SD2670TL詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 12V 3A TSMT3
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 30mA，1.5A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：270 @ 500mA，2V
功率_最大：1W
頻率_轉換：360MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：TSMT3
包裝：帶卷 (TR)

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