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2SJ349 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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2SJ349(F,T)詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 60V 20A TO220NIS
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 10A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 10V
功率_最大：45W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
供應商設備封裝：TO-220NIS
包裝：散裝

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