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2SJ377(Q)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：2-7B1B; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PW-MOLD; 包裝：管件

2SJ377(TE16R)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PW-MOLD; 包裝：剪切帶 (CT)

2SJ377(TE16R)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PW-MOLD; 包裝：Digi-Reel®

2SJ377(TE16R)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PW-MOLD; 包裝：帶卷 (TR)

2SJ377(TE16R1,NQ)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PW-MOLD; 包裝：帶卷 (TR)

2SJ377(TE16R1,NQ)詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PW-MOLD; 包裝：剪切帶 (CT)

172-015-181-021
D-Sub Norcomp Inc. 徑向，圓盤 CONN DB15 MALE HI PRO YLW CHROME
170354-1
矩形 - 觸點(diǎn) TE Connectivity 徑向，圓盤 CONN RECEPT 22-26AWG CRIMP TIN
2SJ338(TE16R1,NQ)
FET - 單 Toshiba TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 180V 1A PW-MOLD
20020130-H041A01LF
接線座 - 接頭，插頭和插口 FCI TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TERM BLK SKT 4 POS 5.08MM
170-037-273L030
D-Sub，D 形 - 外殼 Norcomp Inc. TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 CONN DB37 CRIMP FEMALE NICKEL
3-1676876-7
陶瓷 TE Connectivity 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
30LVQ33-R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 33PF 400V 10% R3L RADIAL
3-1393486-6
D-Sub TE Connectivity 徑向，圓盤 CONN D-SUB RCPT 25POS IDC
172-015-181L001
D-Sub Norcomp Inc. 徑向，圓盤 CONN DB15 MALE HI PRO YLW CHROME
20020131-D061A01LF
接線座 - 接頭，插頭和插口 FCI TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TERM BLK SOCKET 6 POS 3.81MM
17003-VP-3PK
其它 3M TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 LARGE UTILITY HOOKS VALUE PACK
3-1676913-1
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 210 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
30LVS10-R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 10000PF 400V 20% RADIAL
3-1393561-9
D-Sub，D 形 - 配件 TE Connectivity 徑向，圓盤 HARDWARE CONTACT TUBE 25-37 POS
172-015-182-011
D-Sub Norcomp Inc. 徑向，圓盤 CONN DB15 MALE HIGH PROFILE TIN

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