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2SJ412詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220FL; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3（SMT）標片; 供應商設備封裝：TO-220FL; 包裝：管件

2SJ412(Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220FL; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3（SMT）標片; 供應商設備封裝：TO-220FL; 包裝：管件

2SJ412(SM,Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-220SM; 包裝：管件

2SJ412(TE24L,Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-220SM; 包裝：Digi-Reel®

2SJ412(TE24L,Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-220SM; 包裝：帶卷 (TR)

2SJ412(TE24L,Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 10V; 功率_最大：60W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-220SM; 包裝：剪切帶 (CT)

AQW212A
固態 Panasonic Electric Works 8-SMD（0.300"，7.62mm） RELAY OPTO AC/DC 60V 500MA 8-SMD
A3BBH-1418M
矩形 TE Connectivity 8-SMD（0.300"，7.62mm） IDC CABLE - ASR14H/AE14M/ASR14H
AD7896ARZ
數據采集 - 模數轉換器 Analog Devices Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC ADC 12BIT SRL T/H HS 8-SOIC
2SJ380(F)
FET - 單 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
A7SXG-0910M
D-Sub TE Connectivity TO-220-3 整包 DSUB CABL-AFM09G/ AE10M / X
ADP1752ACPZ-1.8-R7
PMIC - 穩壓器 - 線性 Analog Devices Inc 16-VQFN 裸露焊盤，CSP IC REG LDO 1.8V .8A 16LFCSP
AQW214EH
固態 Panasonic Electric Works 8-DIP（0.300"，7.62mm） RELAY OPTO AC/DC 400V 100MA 8DIP
A3BBH-2018M
矩形 TE Connectivity 8-DIP（0.300"，7.62mm） IDC CABLE - ASR20H/AE20M/ASR20H
A6KSV-104RF-P
DIP Omron Electronics Inc-EMC Div 8-DIP（0.300"，7.62mm） SWITCH ROTARY DIP 10POS SMD
3006Y-1-202Z
微調器 Bourns Inc. TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRIMMER 2K OHM 0.75W TH
A7SXG-1506M
D-Sub TE Connectivity TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 DSUB CABL-AFM15G/ AE15M / X
ADP1752ACPZ-2.5-R7
PMIC - 穩壓器 - 線性 Analog Devices Inc 16-VQFN 裸露焊盤，CSP IC REG LDO 2.5V .8A 16LFCSP
A3BBH-2606M
矩形 TE Connectivity 16-VQFN 裸露焊盤，CSP IDC CABLE - ASR26H/AE26M/ASR26H
A6KV-104RS
DIP Omron Electronics Inc-EMC Div 16-VQFN 裸露焊盤，CSP SWITCH ROTARY DIP 10POS PCB
2SJ652-RA11
FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

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