2SK2299N詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：450V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 10V
- 功率_最大：30W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：TO-220FN
- 包裝：散裝
- FET - 單 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 25A TO220NIS
- 保險絲 Littelfuse Inc 徑向，罐狀，垂直 FUSE 250MA 125V RADIAL FAST
- 電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊 Schurter Inc 徑向，罐狀，垂直 SOCKET PWR ENTRY 2POLE SCREW 8MM
- 晶體管(BJT) - 單路 Toshiba TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
- 鉭 Vishay Sprague 2312（6032 公制） CAP TANT 2.2UF 35V 10% 2312
- 微調器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 50K OHM 0.5W TH
- 微調器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 1M OHM 0.125W SMD
- 接線座 - 配件 - 跳線 Phoenix Contact 2312（6032 公制） BRIDGE TERM BLOCK 2POS
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN BIPO 150MA 50V CP
- 鉭 Vishay Sprague 2312（6032 公制） CAP TANT 2.2UF 50V 10% 2312
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 Wurth Electronics Inc 2312（6032 公制） GASKET FABRIC/FOAM 3X3MM D-SHAPE
- 微調器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 100 OHM 0.5W TH
- 微調器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 200 OHM 0.125W SMD
- FET - 單 Toshiba TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 15A TO-220SM
- 電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊 Schurter Inc TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 SOCKET PWR ENTRY 1P 1.5MM SNAPIN
0755-89697985 
