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2SK2613 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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2SK2613詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 1KV 8A TO-3PN
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 歐姆 @ 4A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V
功率_最大：150W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝：TO-3P（N）
包裝：管件

2SK2613(F)詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 1KV 8A TO-3PN
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 歐姆 @ 4A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V
功率_最大：150W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝：TO-3P（N）
包裝：管件

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