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BC327詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 800MA 45V TO92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：260MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC327詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC327,116詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：80MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC327,126詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：80MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

BC327,412詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：80MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：管件

BC327_J35Z詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP EPTXL 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC327,412
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92
BD7820FP-E2
PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD IC REG LDO ADJ 1A TO252-5
B32676E3206K
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 20UF 300VDC RADIAL
APXA200ARA820MJ80G
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 82UF 20V 20% SMD
AQ11EM1R2CA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 1.2PF 150V 0606
3G3AX-REM01K9070-IE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 3G3_X BRAKING RESISTOR
BAV 70 B5003
二極管，整流器 - 陣列 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SW HS CC 80V 200MA SOT-23
AFD58-20-39PX-6117
連接器，互連器件 TE Connectivity TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RCPT 39POS FLANGE W/PINS
BD787G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS NPN 60V 4A BIPOLAR TO-225
AQ11EM1R2CA1WE
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 1.2PF 150V 0606
APXA4R0ARA122MJC0G
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 1200UF 4V 20% SMD
AFD58-20-39PY-6117-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity 徑向，Can - SMD CONN HSG RCPT FLANGE 39POS PIN
BAV 70 B5003
二極管，整流器 - 陣列 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SW HS CC 80V 200MA SOT-23
3G3AX-REM01K9070-IE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3G3_X BRAKING RESISTOR
B32676E3306K
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 30UF 300VDC RADIAL

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