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BC846BW,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：65V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70; 包裝：剪切帶 (CT)

BC846BW,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：65V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70; 包裝：帶卷 (TR)

BC846BW,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：65V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70; 包裝：Digi-Reel®

BC846BW,135詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：65V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70; 包裝：帶卷 (TR)

BC846BW-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN BIPOLAR 65V SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：65V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SOT-323; 包裝：Digi-Reel®

BC846BW-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN BIPOLAR 65V SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：65V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

BZV55-C8V2,115
單二極管/齊納 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80C
C1206C475K8RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
745777-3
D-Sub，D 形 - 配件 TE Connectivity 1206（3216 公制） CONN D-SUB GASKET RFI 37POS TIN
BC846BW,135
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323
74ALVT16245DGG,112
邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 NXP Semiconductors 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC 16BIT TXRX 3-ST 48-TSSOP
BB 565 E7902
可變電容二極管（可變電容二極管，變容二極管） Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80
744762082A
固定式 Wurth Electronics Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 8.2NH 1.0A WW 1008
BAS 40-06 E6327
二極管，整流器 - 陣列 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V SOT-23
BZV55C8V2-TP
單二極管/齊納 Micro Commercial Co DO-213AC（玻璃） DIODE ZENER 500MW 8.2V MINIMELF
745781-4
D-Sub TE Connectivity SC-70，SOT-323 CONN D-SUB RECPT R/A 9POS PCB AU
74ALVT16245DL,112
邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 NXP Semiconductors 48-BSSOP（0.295"，7.50mm 寬） IC 16BIT TXRX 3-ST 48-SSOP
BB 565 H7902
可變電容二極管（可變電容二極管，變容二極管） Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
744762110A
固定式 Wurth Electronics Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 10NH 1.0A WW 1008
BAS 40-07 B6327
二極管，整流器 - 陣列 Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT-143
C1206C475M4RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 16V 20% X7R 1206