

BC847BS詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SC70-6
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:210mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SC-70-6
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC847BS詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SC70-6
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:210mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SC-70-6
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC847BS詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SC70-6
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:210mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SC-70-6
- 包裝:Digi-Reel®
BC847BS詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SC70-6
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:210mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SC-70-6
- 包裝:帶卷 (TR)
BC847BS,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN GP 100MA 45V 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC847BS,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN GP 100MA 45V 6TSSOP
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:6-TSSOP
- 包裝:Digi-Reel®
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 1812(4532 公制) COVER I/O TERMINAL 19POS 10/PKG
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 0805
- 晶體管(BJT) - 陣列 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN/PNP 45V 100MA 6TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 50V 10% X7R 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 8PF 50V NP0 0201
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 100PF 50V 1% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 1500PF 200V 10% NP0 1812
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 IC REG LDO 2.5V .5A TO-252-3
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 0805
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 630V 10% X7R 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 100PF 50V 1% NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 9PF 50V NP0 0201
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 6-HVSOF IC REG LDO 2.6V 1A 8HTSOP-J
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 1500PF 1KV 10% X7R 1812
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 0805