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BC848C-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BC848C-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC848C-7-F詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3; 包裝：Digi-Reel®

BC848CDW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：380mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

BC848CDW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：380mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

BC848CDW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：380mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

C200HE-CPU11-ZE
其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0201（0603 公制） CPU C200H ALPHA 3.2K 640POS I/O
C0805C479K5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 4.7PF 50V 10% NP0 0805
BC848BLT1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23
C0805C102JBRACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1000PF 630V 5% X7R 0805
C1812C221JGRACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 220PF 2KV 5% X7R 1812
BD442G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS PNP 80V 4A BIPO TO-225AA
BFC238370133
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.013UF 2.5KVDC RADIAL
C0603C0G1H2R2B
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 2.2PF 50V NP0 0201
C0805C479K5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 4.7PF 50V 10% NP0 0805
C0805C102JDRACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1000PF 1KV 5% X7R 0805
C1812C221KDRACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 220PF 1KV 10% X7R 1812
BFC238370272
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 2700PF 2.5KVDC RADIAL
BD45232G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET OD 2.3V 200MS 5SSOP
C200HE-CPU32-ZE
其它 Omron Electronics Inc-IA Div 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 CPU 7.2K 880POS I/O
C0805C479K5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 4.7PF 50V 10% NP0 0805

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