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BC849AMTF詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V
- 功率_最大：310mW
- 頻率_轉換：300MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23
- 包裝：帶卷 (TR)
BC849B,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：Digi-Reel®
BC849B,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：帶卷 (TR)
BC849B,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：帶卷 (TR)
BC849B,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：剪切帶 (CT)
BC849B,235詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：100MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：帶卷 (TR)
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） CPU 7.2K W/RS232 7.27.20POS I/O
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1000PF 50V 10% NP0 0805
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 220PF 2KV 20% NP0 1812
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.033UF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0201
- PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET OD 2.5V 50MS 5SSOP
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 25V 1% NP0 0805
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
- 陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 220PF 2KV 20% X7R 1812
- PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET OD 2.6V 200MS 5SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0201
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 3900PF 2.5KVDC RADIAL
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 徑向 CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805
13480301972 
0755-23919407 
