

BC856BLT1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP LP 100MA 65V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC856BLT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP LP 100MA 65V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
BC856BLT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP LP 100MA 65V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
BC856BLT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP LP 100MA 65V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC856BLT3詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP GP 65V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
BC856BLT3G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP GP 65V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):65V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 其它 International Rectifier MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
- 晶體管(BJT) - 陣列 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
- 壓力 EPCOS Inc 不銹鋼 PRES SENSOR GAUGE 100MBAR PCB
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 2.2NF 5% 250V
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 3.3UF 350V
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control SWTCH PLUNGR SPDT 25A SCREW TERM
- 光纖 TE Connectivity C/A LC TO LC MM 2.0MM 5M
- 其它 International Rectifier MOSFET P/N-CH 30V 4.7A 8SOIC
- 矩形 - 外殼 FCI CONN HOUSING 13PS .100 SGL
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.0220UF 10% 250
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) IC OPAMP DUAL 3.5V SOP-8
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 3.3UF 450V
- 光纖 TE Connectivity C/A LC TO LC MM 2.0MM 3M
- 矩形 - 外殼 FCI CONN HOUSING 4POS .100 SGL
- 其它 International Rectifier MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC