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BCV27詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 頻率_轉換：220MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23
- 包裝：剪切帶 (CT)
BCV27詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL NPN 500MA 30V SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 頻率_轉換：220MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23
- 包裝：帶卷 (TR)
BCV27詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 頻率_轉換：220MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23
- 包裝：Digi-Reel®
BCV27,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：220MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：帶卷 (TR)
BCV27,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：220MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：Digi-Reel®
BCV27,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：220MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 22 OHM 1/2W 2% AXIAL
- 晶體管(BJT) - 陣列 Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA TRANSISTOR PNP DOUBLE SOT-143
- 晶體 Citizen Finetech Miyota 4-SOJ，2.85mm 間距 CRYSTAL 28.000 MHZ 18PF SMD
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 14.7 OHM 1/4W 1% AXIAL
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 37POS FLANGE W/SKT
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 7POS FLANGE W/PINS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div M18 SHIELDEDTCNCTR 3 M18 CON
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 240K OHM 1/2W 2% AXIAL
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 2POS PIN
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 150K OHM 1/4W 1% AXIAL
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 37POS FLANGE W/SKT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div M18 SHIELDEDTCNCTR 3 M18 CON
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 7POS PIN
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 270K OHM 1/2W 2% AXIAL
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 2POS SKT
13480301972 
0755-23914006 
