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BCV63,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V，6V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-143B; 包裝：帶卷 (TR)

BCV63,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V，6V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-143B; 包裝：剪切帶 (CT)

BCV63,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V，6V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V / 110 @ 2mA，700mV; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-143B; 包裝：Digi-Reel®

BCV63B,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V，6V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-143B; 包裝：帶卷 (TR)

BCV63B,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V，6V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-143B; 包裝：Digi-Reel®

BCV63B,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS ARR 2NPN 30V/6V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 NPN（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V，6V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA / 250mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V / 200 @ 2mA，700mV; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-253-4，TO-253AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-143B; 包裝：剪切帶 (CT)

C0603C0G1E0R8BTQ
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.8PF 25V NP0 0201
C0603X5R1E152K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 1500PF 25V 10% X5R 0201
74F379SCX
邏輯 - 觸發(fā)器 Fairchild Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REGISTER QUAD PARALLEL 16SOIC
74HC573D-Q100,118
邏輯 - 鎖銷 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC TRANSP LATCH OCTAL D 20SOIC
BF722,115
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 250V 50MA SOT223
BK/S-8201-1SNPR
保險(xiǎn)絲座 Cooper Bussmann TO-261-4，TO-261AA FUSEBLOCK 1POS SNAP 1/4X1-1/4"QC
C0603C0G1E0R8W
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.8PF 25V NP0 0201
74F38SC
邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14SOIC
C0603X5R1E221M
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 220PF 25V 20% X5R 0201
74HC573PW,118
邏輯 - 鎖銷 NXP Semiconductors 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC LATCH OCTAL D 3STATE 20TSSOP
BF722,115
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 250V 50MA SOT223
C0603X5R1E222M
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 2200PF 25V 20% X5R 0201
74F38SJX
邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14SOP
C1Q 250
保險(xiǎn)絲 Bel Fuse Inc 1206（3216 公制） FUSE 250MA 125V 1206 FAST C1Q
BCV64B,215
晶體管(BJT) - 陣列 NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B