BCW60D詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：20nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：350mW
- 頻率_轉換：125MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23
- 包裝：帶卷 (TR)
BCW60D,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：250MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：帶卷 (TR)
BCW60D,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：250MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：剪切帶 (CT)
BCW60D,215詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：250MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：Digi-Reel®
BCW60D,235詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 頻率_轉換：250MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：帶卷 (TR)
BCW60DT116詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 32V 200MA SST3 TR
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：-
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：380 @ 2mA，5V
- 功率_最大：-
- 頻率_轉換：125MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SST3
- 包裝：帶卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 62PF 50V 10% NP0 0402
- 線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMPLIFIER POWER SOT-115J
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.056UF 250VDC RADIAL
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 配件 Storm Interface TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 KEYPAD KEYTOP LEG SET D NONILLUM
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 20UF 10% 1100V MKP
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.22U 20% 300V MKP Y2
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0603
- 線性 - 視頻處理 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMP PUSH PULL SOT115J
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.062UF 250VDC RADIAL
- 配件 Storm Interface 徑向 KEYPAD KEYTOP LEG SET D NONILLUM
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 40UF 10% 450V MKP
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 68PF 50V 1% NP0 0402
- EMI/RFI（LC、RC 網絡） Infineon Technologies 18-UFBGA，WLCSP IC FILTER/ESD PROT 7CH WLP-18
0755-83222787 
