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BCW68G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

BCW68GLT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 10mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BCW68GLT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 10mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BCW68GLT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 10mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

BCW68GLT3G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 45V 800MA SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 10mA，1V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BCW68HTA詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP -45V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：800mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V; 功率_最大：330mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

AQ11EA200FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 20PF 150V 1% 0606
ADS7813UB/1KG4
數據采集 - 模數轉換器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC 16BIT 35MW SER OUT ADC 16SOIC
BCW66HTA
晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V SOT23-3
APTS003A0X4-SRZ
DC DC Converters GE 10-SMD 模塊 CONVER DC-DC 0.59 5.5V @ 3A SMD
B380-13-F
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AB，SMC DIODE SCHOTTKY 80V 3A SMC
AMC1203BDW
數據采集 - 模數轉換器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELTA-SIGMA MOD 16 BIT 16SOIC
40J820E
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES 820 OHM 10W 5% WW AXIAL
B32921C3223M
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 22NF 20% 305V MKP X2
AQ11EA200JA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 20PF 150V 5% 0606
B380-13-F
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AB，SMC DIODE SCHOTTKY 80V 3A SMC
APTS003A0X-SRDZ
DC DC Converters GE 10-SMD 模塊 CONVERTER DC/DC 5.5V 3A OUT
AMC1203BDWR
數據采集 - 模數轉換器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELTA-SIGMA MOD 16BIT 16SOIC
40JR30E
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES .30 OHM 10W 5% WW AXIAL
B32921C3333K289
薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 33NF 10% 305V MKP X2
AQ11EA220FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 22PF 150V 1% 0606

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