

BCX17詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):620mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BCX17詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):620mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BCX17詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):620mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:Digi-Reel®
BCX17,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 500MA 45V SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):620mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:80MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:Digi-Reel®
BCX17,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 500MA 45V SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):620mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:80MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:剪切帶 (CT)
BCX17,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 500MA 45V SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):620mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:80MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
- RF 放大器 NXP Semiconductors * IC AMP MMIC WIDEBAND 6HXSON
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 6800PF 50V 5% X7R 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 2200PF 400VDC RADIAL
- 固定式 Bourns Inc. 軸向 CHOKE RF VARNISHED 120UH 5%
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 60UF 10% 450V MKP
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 150PF 50V 2% NP0 0603
- RF 放大器 NXP Semiconductors * IC AMP MMIC WIDEBAND 6HXSON
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 6800PF 10V 5% X7R 0402
- 薄膜 EPCOS Inc 軸向 CAP FILM 4.7UF 250VDC AXIAL
- 固定式 Bourns Inc. 軸向 CHOKE RF VARNISHED 12UH 10%
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 3.9UF 10% 1100VDC
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 150PF 100V 5% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 6800PF 16V 10% X7R 0402
- RF 放大器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC WIDEBAND AMP LN MMIC 6-XSON