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BCX5316TA詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR PNP -80V SOT-89
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V
- 功率_最大：1W
- 頻率_轉換：150MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-243AA
- 供應商設備封裝：SOT-89-3
- 包裝：帶卷 (TR)
BCX5316TA詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR PNP -80V SOT-89
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V
- 功率_最大：1W
- 頻率_轉換：150MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-243AA
- 供應商設備封裝：SOT-89-3
- 包裝：Digi-Reel®
BCX5316TA詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR PNP -80V SOT-89
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶體管類型：PNP
- 電流_集電極333Ic444（最大）：1A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
- 電流_集電極截止（最大）：-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V
- 功率_最大：1W
- 頻率_轉換：150MHz
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-243AA
- 供應商設備封裝：SOT-89-3
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
- 網絡、陣列 CTS Resistor Products 14-SOIC（0.220"，5.59mm 寬） RES ARRAY 2.7K OHM 7 RES 14-SOIC
- 晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc TO-243AA TRANS PNP 80V 1A 1W SOT89
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC GAS GAUGE BQ29312A 38TSSOP
- 過時/停產零件編號 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） DEV KIT FOR F300/301/302/304/305
- 陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1UF 6.3V 10% X6S 0402
- 矩形- 接頭，公引腳 FCI 0402（1005 公制） HDR RA DR .100 DP
- 搖臂 Arcolectric 0402（1005 公制） SWITCH ROCKER DPST-NO 20A 277V
- 陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 20PF 250V 5% RADIAL
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 30-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC GAS GAUGE FOR BQ29330 30TSSOP
- 過時/停產零件編號 Silicon Laboratories Inc 30-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） DEV KIT FOR F300/301/302/304/305
- 陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1UF 6.3V 10% X6S 0402
- 矩形- 接頭，公引腳 FCI 0402（1005 公制） HDR RA DR .100 DP
- 陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 20PF 250V 5% RADIAL
- 搖臂 Arcolectric 徑向，圓盤 SWITCH ROCKER SPST 20A 277V
0755-83200050 
