

BCX70K詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:380 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:Digi-Reel®
BCX70K詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:380 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BCX70K詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):200mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:380 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:125MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BCX70K,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:380 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:Digi-Reel®
BCX70K,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:380 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BCX70K,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:380 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:250MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 56POS SKT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag MELF,0204 RES 1.8K OHM .4W 2% 0204 MELF
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 12POS SKT
- 時鐘/計時 - 專用 Silicon Laboratories Inc 48-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC CLK DDR266/333BUF1:10 48TSSOP
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS FLANGE W/SKT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag MELF,0204 RES 18 OHM .4W 2% 0204 MELF
- 電池充電器 CUI Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BATT CHRGR LEAD-ACID 12V 2.25A
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 56POS FLANGE W/PINS
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 6POS PIN
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag MELF,0204 RES 2.2K OHM .4W 2% 0204 MELF
- 時鐘/計時 - 專用 Silicon Laboratories Inc 48-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC CLK DDR266/333BUF1:10 48TSSOP
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-323
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75,SOT-416 TRANS DGTL PNP 12V 500MA EMT3
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 56POS FLANGE W/SKT