BD239C詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANS NPN 100V 2A TO-220
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A
- 電流_集電極截止（最大）：300µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 1A，4V
- 功率_最大：2W
- 頻率_轉換：-
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220
- 包裝：管件
BD239C詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 100V 2A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A
- 電流_集電極截止（最大）：300µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 1A，4V
- 功率_最大：30W
- 頻率_轉換：-
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220
- 包裝：散裝
BD239CTU詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路
- 描述：TRANSISTOR NPN 100V 2A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型：NPN
- 電流_集電極333Ic444（最大）：2A
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A
- 電流_集電極截止（最大）：300µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 1A，4V
- 功率_最大：30W
- 頻率_轉換：-
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220
- 包裝：管件
- 配件 CBM America Corporation CNTRLR FOR MLT-389 THERMAL PRINT
- 矩形- 接頭，插座，母插口 FCI CONN RCPT 94POS .100" DBL GOLD
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 10*10 68UH
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE HBC 10UH 10%
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 200V
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 2.7NF 5% 2000V MKP
- 矩形- 接頭，插座，母插口 FCI CONN RCPT 54POS .100" DBL GOLD
- 電容器 EPCOS Inc 100UF 400V 22X30 SI
- 矩形- 接頭，插座，母插口 FCI CONN RCPT 100POS .100" DBL GOLD
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE LBC 10UH 10%
- 矩形- 接頭，插座，母插口 FCI CONN RCPT 62POS .100" DBL GOLD
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 4.7NF 10% 2000V MKP
- 電容器 EPCOS Inc 120UF 400V 25X25MM SNAP IN
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 TRANSISTOR NPN 45V 2A TO-220
0755-88291559 
0755-23914006 
