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BF821,215詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉換：60MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：Digi-Reel®

BF821,215詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23; 系列：*; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉換：60MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BF821,215詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉換：60MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BF821,215詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉換：60MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

BF821,235詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉換：60MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

BF821,235詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 300V 50MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：300V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：800mV @ 5mA，30mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：50 @ 25mA，20V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉換：60MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BK/S-8202-2-R
保險絲座 Cooper Bussmann 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） FUSEBLOCK 2POS FOR 1/4X1-1/4" QC
BCW 61D E6327
晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP AF 32V SOT-23
C0805C332KBRACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3300PF 630V 10% X7R 0805
BF821,215
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP 300V 50MA SOT23
74HC58D,653
邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置 NXP Semiconductors 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DUAL AND-OR GATE 14SOIC
74F521SCX
邏輯 - 比較器 Fairchild Semiconductor 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC COMPARATOR IDENTITY 8B 20SOIC
C0603X5R1H101M
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 100PF 50V 20% X5R 0201
BK/S-8301-3
保險絲座 Cooper Bussmann 0201（0603 公制） FUSEBLOCK 3POS 1/4X1-1/4" SCREW
BCW 66H E6327
晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23
74F521SJX
邏輯 - 比較器 Fairchild Semiconductor 20-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） IC COMPARATOR IDENTITY 8B 20SOP
C0603X5R1H151K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 150PF 50V 10% X5R 0201
BCW 67C E6327
晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP AF 32V SOT-23
BK/S-8301-4
保險絲座 Cooper Bussmann TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FUSEBLOCK 4POS 1/4X1-1/4" SCREW
C0805C332KCRACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3300PF 500V 10% X7R 0805
BF824W,135
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 TRANS PNP 30V 25MA SOT323

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BF821 全國供應商、價格、PDF資料

BF821,215詳細規格

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BF821,215詳細規格

BF821,215詳細規格

BF821,235詳細規格

BF821,235詳細規格

BF821供應商

BK/S-8202-2-R

BCW 61D E6327

C0805C332KBRACTU

BF821,215

74HC58D,653

74F521SCX

C0603X5R1H101M

BK/S-8301-3

BCW 66H E6327

74F521SJX

C0603X5R1H151K

BCW 67C E6327

BK/S-8301-4

C0805C332KCRACTU

BF824W,135