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BFT92E6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP RF 15V SOT-23; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V; 頻率_轉(zhuǎn)換：5GHz; 噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz; 增益：8dB ~ 13.5dB; 功率_最大：200mW; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 15mA，8V; 電流_集電極333Ic444（最大）：25mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BFT92E6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP RF 15V SOT-23; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V; 頻率_轉(zhuǎn)換：5GHz; 噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：2dB ~ 3.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz; 增益：8dB ~ 13.5dB; 功率_最大：200mW; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：15 @ 15mA，8V; 電流_集電極333Ic444（最大）：25mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BFT92W,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V; 頻率_轉(zhuǎn)換：4GHz; 噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：300mW; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 15mA，10V; 電流_集電極333Ic444（最大）：25mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70; 包裝：剪切帶 (CT)

BFT92W,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V; 頻率_轉(zhuǎn)換：4GHz; 噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：300mW; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 15mA，10V; 電流_集電極333Ic444（最大）：25mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70; 包裝：帶卷 (TR)

BFT92W,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V; 頻率_轉(zhuǎn)換：4GHz; 噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：300mW; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 15mA，10V; 電流_集電極333Ic444（最大）：25mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70; 包裝：Digi-Reel®

BFT92W,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：RF 晶體管 (BJT); 描述：TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：15V; 頻率_轉(zhuǎn)換：4GHz; 噪聲系數(shù)（dB典型值0a0頻率）：2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：300mW; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 15mA，10V; 電流_集電極333Ic444（最大）：25mA; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70; 包裝：帶卷 (TR)

BAS70-05W,115
二極管，整流器 - 陣列 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
B82422H1682K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 6.8UH 570MA 1210 10%
C1608X6S1H224M
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.22UF 50V 20% X6S 0603
BFT25A,215
RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23
BD534KTU
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 TRANSISTOR PNP 45V 8A TO-220
74AUP1G32GM,132
邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC GATE OR LP 2INPUT XSON6
BC51-10PA,115
其它 NXP Semiconductors TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061
C0603C181J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 0603
BAS70-06-7
二極管，整流器 - 陣列 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHTKY 200MW 70V SOT23-3
BD5353FVE-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor SOT-665 IC DETECTOR VOLT 5.3V CMOS 5VSOF
74AUP1G32GM,132
邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC GATE OR LP 2INPUT XSON6
B82422H1682K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 6.8UH 570MA 1210 10%
BC51-16PA,115
其它 NXP Semiconductors TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061
C0603C181J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 0603
BAS70-06-TP
二極管，整流器 - 陣列 Micro Commercial Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ARR SCHOTKY 70V 70MA SOT23

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