

BSF詳細規格
- 類別:電池座,夾,觸點
- 描述:9V FEMALE SNAP 6-SIDED
- 系列:-
- 制造商:MPD (Memory Protection Devices)
- 電池類型qqq功能:9V,卡入式觸點(單)
- 樣式:觸點,卡入式(正極)
- 電池尺寸:9V
- 電池數:-
- 電池系列:-
- 安裝類型:自定義
- 端子類型:-
- 板上高度:-
- 工作溫度:-
BSF024N03LT3 G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:106A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5500pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-WDSON
- 供應商設備封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M?
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSF024N03LT3 G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:106A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5500pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-WDSON
- 供應商設備封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M?
- 包裝:Digi-Reel®
BSF024N03LT3 G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:106A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:71nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5500pF @ 15V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-WDSON
- 供應商設備封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M?
- 包裝:帶卷 (TR)
BSF030NE2LQ詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 12V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-WDSON
- 供應商設備封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M?
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSF030NE2LQ詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 12V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:3-WDSON
- 供應商設備封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M?
- 包裝:Digi-Reel®
- 背板 - ARINC ITT Cannon 軸向 RACK AND PANEL PLUG 234POS
- 邏輯 - 觸發器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC FLIP FLOP DUAL D TYPE 14SOIC
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 2.2UF 16V Y5V 0805
- FET - 陣列 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363
- 配件 Microchip Technology 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 PIC32 EDITION LITERATURE
- PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 寬),5 引線 IC DETECTOR VOLT 4.2V ODRN 5SSOP
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 Texas Instruments 48-TFSOP(0.173",4.40mm 寬) IC BUFF/DVR TRI-ST 16BIT 48TVSOP
- 邏輯 - 觸發器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC FLIP FLOP DUAL D TYPE 14TSSOP
- 背板 - ARINC ITT Cannon 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) RACK AND PANEL PLUG 313POS
- 配件 Microchip Technology 3-WDSON BOOK EMBEDDED C PROGRAMMING VOL3
- PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor SOT-665 IC RESET N-CH OD 4.3V 5VSOF
- 陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 680PF 100V 10% AXIAL
- 邏輯 - 觸發器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC FLIP FLOP DUAL D TYPE 14TSSOP
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 NXP Semiconductors 60-UFQFN 雙排,裸焊盤 IC BUFFER/DVR 16BIT 3ST 60HUQFN
- 背板 - ARINC ITT Cannon 60-UFQFN 雙排,裸焊盤 RACK AND PANEL PLUG 313POS