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BSN20,215詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：173mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：Digi-Reel®

BSN20,215詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：173mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BSN20,215詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：173mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

BSN20,215詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：173mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BSN20,235詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：173mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 歐姆 @ 100mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：25pF @ 10V; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BSN20-7詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：500mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 220mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V; 功率_最大：600mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

74LVC06AT14-13
邏輯 - 柵極和逆變器 Diodes Inc 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC HEX INVERTER O-D 14TSSOP
74LVX132MTR
邏輯 - 柵極和逆變器 STMicroelectronics 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC GATE NAND QUAD 2INP 14-SOIC
BSN20,215
FET - 單 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
C0805C103K3HACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 25V 10% X8R 0805
C200H-RT001-P
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） REMOTE SLAVE ALL FIBER 120VAC
C0603C334Z4VACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.33UF 16V Y5V 0603
BQ2057WSN
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LITH-ION LDO CHRG MGMT 8-SOIC
C0603C104Z4VACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 16V Y5V 0603
74LVC07AD,118
邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 NXP Semiconductors 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC BUFF HEX OPEN DRAIN 14SOIC
C0805C103K3HACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 25V 10% X8R 0805
C200H-RT201
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） REMOTE SLAVE 2-WIRE 120VAC
C0603C335K9PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3.3UF 6.3V 10% X5R 0603
C0603C105K3PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X5R 0603
BQ2057WTS
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC LITH-ION LDO CHRG MGMT 8TSSOP
74LVC07AT14-13
邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Diodes Inc 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC LOGIC GATE/INVERTER

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BSN20 全國供應商、價格、PDF資料

BSN20,215詳細規格

BSN20,215詳細規格

BSN20,215詳細規格

BSN20,215詳細規格

BSN20,235詳細規格

BSN20-7詳細規格

BSN20供應商

74LVC06AT14-13

74LVX132MTR

BSN20,215

C0805C103K3HACTU

C200H-RT001-P

C0603C334Z4VACTU

BQ2057WSN

C0603C104Z4VACTU

74LVC07AD,118

C0805C103K3HACTU

C200H-RT201

C0603C335K9PACTU

C0603C105K3PACTU

BQ2057WTS

74LVC07AT14-13