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BSO119N03S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1730pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO119N03S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1730pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO119N03S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1730pF @ 15V; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8
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固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 4.7UH .65A 20% SMD

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