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BSO150N03 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSO150N03詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1890pF @ 15V
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:帶卷 (TR)

BSO150N03詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1890pF @ 15V
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:Digi-Reel®

BSO150N03詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1890pF @ 15V
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:剪切帶 (CT)

BSO150N03MD G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A DSO8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 15V
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:剪切帶 (CT)

BSO150N03MD G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A DSO8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 15V
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:帶卷 (TR)

BSO150N03MD G詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A DSO8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 9.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 15V
功率_最大:1.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:PG-DSO-8
包裝:Digi-Reel®

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