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BSO615N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO615N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO615N G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO615N G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO615N G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BMI-S-205-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.0X1.5" FRAME
C1808C471KHRACTU
陶瓷 Kemet 1808（4520 公制） CAP CER 470PF 3KV 10% X7R 1808
BSO615N G
FET - 陣列 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
CA02COME12S-3PBA176
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS BOX MNT W/PINS
C14G25S
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 盒，非標(biāo)準(zhǔn) FUSE INDUST 25A 690V CLASS GG
C917U750JYSDCAWL45
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 75PF 250V 5% RADIAL
BMI-S-207-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.747X1.747" FRAME
C1808C472MFRACTU
陶瓷 Kemet 1808（4520 公制） CAP CER 4700PF 1.5KV X7R 1808
C1CXG-5036M-ND
矩形 CW Industries 0505（1313 公制） IDC CABLE - CKC50G/AE50M/X
C917U750JZSDBAWL20
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 75PF 300V 5% RADIAL
C14G6
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 盒，非標(biāo)準(zhǔn) FUSE INDUST 6A 690V CLASS GG
BRL2012T150M
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 15UH 20% 0805 SMD
BMI-S-207-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.747X1.747" FRAME
C1808C560JHGACTU
陶瓷 Kemet 1808（4520 公制） CAP CER 56PF 3KV 5% NP0 1808
C1CXG-6036M-ND
矩形 CW Industries 0505（1313 公制） IDC CABLE - CKC60G/AE60M/X

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