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BSP125 E6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP125 E6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP125 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP125 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP125 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP125 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 歐姆 @ 120mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 94µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

C1D0206S-VA
旋轉(zhuǎn) Electroswitch 0505（1313 公制） SWITCH ROTARY DP-6POS ENCLOSED
BRL2515T1R5M
固定式 Taiyo Yuden 1006（2515 公制） INDUCTR 1.5UH 1.15A 20% 1006 SMD
BSP110,115
FET - 單 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
C14N32P-B3
編碼器 CUI Inc ENCODER OPT 32PPR 6.35MM D SHAFT
C921U102KYYDAAWL45
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 1000PF 250V 10% RADIAL
BMK11000
配件 Red Lion Controls OR MLPS DIN RAIL BASE MNT KIT AD
C1808C681J5GALTU
陶瓷 Kemet 1808（4520 公制） CAP CER 680PF 50V 5% NP0 1808
CA02COME14S-5SBF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SKTS
C1DXG-1036G-ND
矩形 CW Industries 0505（1313 公制） IDC CABLE - CKR10G/AE10G/X
C150/450C
RF 天線 Laird Technologies IAS ANT WHIP DB CC 150/450 CHROME
C921U102KYYDBA7317
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 1000PF 250V 10% RADIAL
BMK11000
配件 Red Lion Controls OR MLPS DIN RAIL BASE MNT KIT AD
CA02COME14S-6PA176
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS BOX MNT W/PINS
BRL2515T2R2M
固定式 Taiyo Yuden 1006（2515 公制） INDUCTR 2.2UH 1.00A 20% 1006 SMD
BSP135 L6906
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

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