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BSP88E6327 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BSP88E6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
系列：SIPMOS®
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：240V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 108µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：95pF @ 25V
功率_最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4
包裝：帶卷 (TR)

BSP88E6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
系列：SIPMOS®
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：240V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：350mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 歐姆 @ 350mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 108µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：95pF @ 25V
功率_最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4
包裝：剪切帶 (CT)

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