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BSS670S2L詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：540mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS670S2L詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：540mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS670S2L H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：540mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS670S2L H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：540mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS670S2L H6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：540mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS670S2L L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：540mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

D38999/26FE26JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/SKT
D38999/20LJ20PC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 30POS FLANGE W/PINS
BSS670S2L H6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
D38999/20WH53SC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
D38999/24JF32PN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 32POS PIN
E1502S.38.03
多芯導(dǎo)線(xiàn) General Cable/Carol Brand 模具 2C/18 SBC UNSH TYPE FPLR
DTS26W23-21SN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 21POS STRGHT W/SKT
D38999/24WB5BN
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 5POS JAM NUT SCKT
D38999/26FE26JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/SKT
D38999/20LJ20PC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 30POS FLANGE W/PINS
D38999/24JF35BN
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 66POS JAM NUT SKT
E1504S.21.08
多芯導(dǎo)線(xiàn) General Cable/Carol Brand 模具 4C/18 SBC UNSH TYPE FPLR
DTS26W23-35BC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 100POS SKT
D38999/26FE26PA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS STRGHT W/PINS
D38999/24WB5HC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS JAM NUT W/PINS

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