

BSV236SP H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:PG-SOT363-6
- 包裝:Digi-Reel®
BSV236SP H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:PG-SOT363-6
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSV236SP H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:PG-SOT363-6
- 包裝:帶卷 (TR)
BSV236SP L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:PG-SOT363-6
- 包裝:帶卷 (TR)
BSV236SP L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:PG-SOT363-6
- 包裝:Digi-Reel®
BSV236SP L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 1.5A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 8µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:228pF @ 15V
- 功率_最大:560mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:PG-SOT363-6
- 包裝:剪切帶 (CT)
- RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA IC MMIC DRIVER AMP 1STAGE SOT89
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 86.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.47UF 63VDC RADIAL
- 端子 - 端子和導線接片 Panduit Corp 徑向 CONN SPLICE BUTT 18-22AWG VINYL
- 橋式整流器 Vishay General Semiconductor 4-SIP,BU RECTIFIER BRIDGE 1000V 15A BU
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
- RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA IC MMIC DRIVER AMP 1STAGE SOT89
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 97.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 寬),5 引線 IC REG LDO 1.5V .2A 5SSOP
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.051UF 630VDC RADIAL
- RF 放大器 NXP Semiconductors TO-243AA MMIC AMPLIFIER SOT89
- 陶瓷 Kemet 徑向,圓盤 CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
- 薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.068UF 250VDC RADIAL
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 931K OHM 1/2W 0.1% AXIAL