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BSZ060NE2LS 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BSZ060NE2LS詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 12V
功率_最大：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝：Digi-Reel®

BSZ060NE2LS詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 12V
功率_最大：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝：剪切帶 (CT)

BSZ060NE2LS詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：25V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 12V
功率_最大：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝：帶卷 (TR)

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