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BTS113A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO220AB; 包裝：管件

BTS113A E3045A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：帶卷 (TR)

BTS113A E3064詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB; 系列：TEMPFET®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO220AB; 包裝：管件

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信號(hào)，高達(dá) 2 A Coto Technology RELAY REED SPDT 1A 24V
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電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 820UF 250V

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