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BUZ30A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3; 包裝：管件

BUZ30A E3045A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A TO-263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

BUZ30A H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3; 包裝：管件

BUZ30A H3045A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A TO-263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-4，D²Pak（3 引線+接片），TO-263AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

BUZ30A H3045A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A TO-263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-4，D²Pak（3 引線+接片），TO-263AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BUZ30A H3045A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A TO-263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-4，D²Pak（3 引線+接片），TO-263AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：Digi-Reel®

C2101A.12.04
單芯導(dǎo)線 General Cable/Carol Brand 徑向，Can - 螺絲端子 HOOK-UP WIRE ORN STRANDED 22 AWG
BUZ11_R4941
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
C2012X7S0J226M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 22UF 6.3V 20% X7S 0805
CA3106E20-18SBF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS INLINE W/SKTS
CA3106F28-20PBF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 14POS INLINE W/PINS
C0805C682K2RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6800PF 200V 10% X7R 0805
90130-1230
矩形- 接頭，公引腳 Molex Connector Corporation CONN HEADER 30POS .100" STR GOLD
C2101A.12.06
單芯導(dǎo)線 General Cable/Carol Brand 徑向，Can - 螺絲端子 GREEN 22AWG HOOKUP WIRE STRANDED
CA3102E36-4P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/PINS
CA3106F28-20S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 14POS INLINE W/SKTS
CA3106E20-18SDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS INLINE W/SKTS
C0805C682K3RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 6800PF 25V 10% X7R 0805
C2101A.21.03
單芯導(dǎo)線 General Cable/Carol Brand 徑向，Can - 螺絲端子 RED 22AWG HOOKUP WIRE STRANDED
CA3102E36-4S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/SKTS
BUZ73 H
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

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