

BUZ30A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
BUZ30A E3045A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BUZ30A H詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
BUZ30A H3045A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BUZ30A H3045A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BUZ30A H3045A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 13.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:Digi-Reel®
- 單芯導線 General Cable/Carol Brand 徑向,Can - 螺絲端子 HOOK-UP WIRE ORN STRANDED 22 AWG
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 22UF 6.3V 20% X7S 0805
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS INLINE W/SKTS
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 14POS INLINE W/PINS
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 6800PF 200V 10% X7R 0805
- 矩形- 接頭,公引腳 Molex Connector Corporation CONN HEADER 30POS .100" STR GOLD
- 單芯導線 General Cable/Carol Brand 徑向,Can - 螺絲端子 GREEN 22AWG HOOKUP WIRE STRANDED
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/PINS
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 14POS INLINE W/SKTS
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS INLINE W/SKTS
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 6800PF 25V 10% X7R 0805
- 單芯導線 General Cable/Carol Brand 徑向,Can - 螺絲端子 RED 22AWG HOOKUP WIRE STRANDED
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/SKTS
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3