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DDTA122LE-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP SOT-523; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA122LE-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP SOT-523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA122LE-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP SOT-523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA122LE-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA122LE-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA122LE-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIASED PNP SOT523; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：220; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-523; 供應商設備封裝：SOT-523; 包裝：Digi-Reel®

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CX3225GA40000D0PTVZ1
晶體 AVX Corp/Kyocera Corp 2-SMD CRYSTAL 40.000MHZ 8PF SMD
D38999/20KB5SN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS WALL MNT W/SCKT
ECS-147.4-20-28AX-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.7456MHZ 20PF SMD
DST-2-10
功率 Signal Transformer XFRMR PWR 115/230V 5V .22A
D150G20U2JL63J5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 15PF 500V 2% RADIAL
DDTA122LE-7-F
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Diodes Inc SOT-523 TRANS PREBIASED PNP SOT523
CY14B256I-SFXI
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC NVSRAM 256KB RTC I2C 16SOIC
CX3225GB10000D0HPQZ1
晶體 AVX Corp/Kyocera Corp 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 10MHZ 8PF SMD
D38999/20KB98AN
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 6POS WALL MT PINS
DST-2-48
功率 Signal Transformer XFRMR PWR 115/230V 24V 46MA
D150J20C0GF63J5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 15PF 50V 5% RADIAL
DDTA122LU-7
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Diodes/Zetex SC-70，SOT-323 TRANS PREBIASED PNP SC70-3
CY14B256LA-SZ45XIT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 32-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC NVSRAM 256KBIT 45NS 32SOIC
CX3225GB12000D0HEQZ1
晶體 AVX Corp/Kyocera Corp 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 12.000MHZ 8PF SMD
D38999/20KB98PA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MNT W/PINS