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DMG4800LSD-13 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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DMG4800LSD-13詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8
系列：-
制造商：Diodes Inc
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.54A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.56nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：798pF @ 10V
功率_最大：1.17W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOP
包裝：剪切帶 (CT)

DMG4800LSD-13詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8
系列：-
制造商：Diodes Inc
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.54A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.56nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：798pF @ 10V
功率_最大：1.17W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOP
包裝：帶卷 (TR)

DMG4800LSD-13詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8
系列：-
制造商：Diodes Inc
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.54A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 9A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.56nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：798pF @ 10V
功率_最大：1.17W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOP
包裝：Digi-Reel®

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