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DMN2005LP4K-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 10mA，4V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 3V; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-XFDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）; 包裝：Digi-Reel®

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DMN2005LP4K-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 10mA，4V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：900mV @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 3V; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-XFDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）; 包裝：剪切帶 (CT)

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電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 680UF 420V 20% SNAP
DTS26F17-6PC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 6POS STRGHT W/PINS
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FET - 單 Diodes Inc 6-UDFN MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 WW
DW025ABK-M
DC DC Converters GE 9-DIP 模塊 CONV DC/DC +5/+-12V 25W OUT
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通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 50 OHM 1W 0.1% AXIAL
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電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 150UF 350V 20% SNAP
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單二極管/齊納 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE ZENER 3.6V 500MW DO-35
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陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 100PF 16V 5% NP0 0402
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 WW
CMF6050R000FKEB
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 50 OHM 1W 1% AXIAL
DW025BK-M
DC DC Converters GE 9-DIP 模塊 CONVERT DC/DC 12/-12V 25W OUT
EET-UQ2V271JA
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 350V 20% SNAP
BZX79-B3V6,143
單二極管/齊納 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，軸向 DIODE VREG 3.6V 500MW DO-35
C0402C101J5GALTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 100PF 50V 5% NP0 0402