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DMN2016UTS-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.58A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1495pF @ 10V; 功率_最大：880mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

DMN2016UTS-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.58A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1495pF @ 10V; 功率_最大：880mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

DMN2016UTS-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.58A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫歐 @ 9.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1495pF @ 10V; 功率_最大：880mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 陣列 Diodes Inc SOT-23-6 MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26

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