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DMN2300UFB4-7B詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 300mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：64.3pF @ 25V; 功率_最大：470mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-XFDFN; 供應商設備封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）; 包裝：帶卷 (TR)

DMN2300UFB4-7B詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 300mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：64.3pF @ 25V; 功率_最大：470mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-XFDFN; 供應商設備封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）; 包裝：Digi-Reel®

DMN2300UFB4-7B詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 300mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：64.3pF @ 25V; 功率_最大：470mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-XFDFN; 供應商設備封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）; 包裝：剪切帶 (CT)

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