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DMP2039UFDE-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSF P CH 25V 6.7A U-DFN2020-6E; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48.7nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 15V; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-XDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：*; 包裝：Digi-Reel®

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DMP2039UFDE-7詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSF P CH 25V 6.7A U-DFN2020-6E; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6.4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48.7nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 15V; 功率_最大：800mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-XDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：*; 包裝：帶卷 (TR)

HSMS-281K-BLKG
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RF 二極管 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-363
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功率 Signal Transformer 模塊 XFRMR PWR 115/230V 36VCT .85A
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連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 19POS FLANGE W/PINS
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軟件 Lattice Semiconductor Corporation SOT-563，SOT-666 IP CORE MCDMA SCATTER/GATH XP2
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電容器 Elna America 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 6800UF 50V 20% SNAP
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RF 二極管 Avago Technologies US Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY RF SGL 15V SOT-23

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