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DTA124EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 22/22K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：剪切帶 (CT)

DTA124EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 22/22K SOT-723; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：帶卷 (TR)

DTA124EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 30MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTA124EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 30MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTA124EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 30MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DS90UR908QSQ/NOPB
接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盤 IC DESERIALIZER 65MHZ 48LLP
DRV8800PWP
PMIC - 電機(jī)和風(fēng)扇控制器，驅(qū)動(dòng)器 Texas Instruments 16-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盤 IC DC MTR DVR FULL BRDG 16HTSSOP
ILP3FAD2L0B
按鈕 APEM Components, LLC 1812（4532 公制） SWITCH PUSHBUTTON SPST-NO 2A 24V
DTA124EETL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS PNP 50V 30MA SOT-416
IDTAMB0582C1RJ
接口 - 信號(hào)緩沖器，中繼器，分配器 IDT, Integrated Device Technology Inc IC MEMORY BUFFER ADV DIMM 655BGA
IDT72825LB15PF8
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC FIFO SYNC DL 1024X18 128TQFP
LKX2G680MESY25
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 68UF 400V 20% SNAP
IHSM7832ER181L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 180UH 1.3A SMD
DS9105-003#
存儲(chǔ)器 - 配件 Maxim Integrated - IBUTTON NUMBER SET THREE
IDTCSP2510DPG8
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CLK DVR PLL ZDB 1:10 24TSSOP
ILP3SAD2
按鈕 APEM Components, LLC 1812（4532 公制） SWITCH PUSHBUTTON SPST-NO 2A 24V
IDT72825LB15PFI
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC FIFO SYNC DL 1024X18 128TQFP
LKX2G681MESC50
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 680UF 400V 20% SNAP
IHSM7832ER182L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 1800UH .34A SMD
DS91C176TMA/NOPB
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX MULTIPOINT-LVDS 8SOIC

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DTA124EM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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DTA124EM供應(yīng)商

DS90UR908QSQ/NOPB

DRV8800PWP

ILP3FAD2L0B

DTA124EETL

IDTAMB0582C1RJ

IDT72825LB15PF8

LKX2G680MESY25

IHSM7832ER181L

DS9105-003#

IDTCSP2510DPG8

ILP3SAD2

IDT72825LB15PFI

LKX2G681MESC50

IHSM7832ER182L

DS91C176TMA/NOPB