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DTC114EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 10/10K SOT-723-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：剪切帶 (CT)

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DTC114EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 10/10K SOT-723-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：帶卷 (TR)

DTC114EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 50MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTC114EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 50MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC114EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 50MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DS92LX2122SQE/NOPB
接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盤 IC DESERIALIZER BI-DIR 48-LLP
LLA215C70G475ME19L
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 4V 20% X7S 0805
DTC114EKAT146
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRAN DIGITL NPN 50V 50MA SOT-346
DS1005S-150/T&R
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 150NS 16-SOIC
IDTQS3VH126QG8
邏輯 - 信號(hào)開關(guān)，多路復(fù)用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC BUS SWITCH QUAD QUICK 16-QSOP
IM02EB2R2K
固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 2.2 10%
IDT72T1895L5BBI
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 144-BGA IC FIFO 65536X18 5NS 144BGA
DS92LX2122SQE/NOPB
接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-WFQFN 裸露焊盤 IC DESERIALIZER BI-DIR 48-LLP
GRM3196T2A180JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 18PF 100V 5% T2H 1206
IDTQS3VH126S1G
邏輯 - 信號(hào)開關(guān)，多路復(fù)用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC BUS SWITCH QUAD QUICK 14-SOIC
DS1005S-200+T&R
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 16-SOIC
IM02EB5R6K
固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 5.6 10%
IDT72T1895L6-7BB
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 144-BGA IC FIFO 65536X18 6-7NS 144BGA
DS9490B#
配件 Maxim Integrated IC IBTN HOLDER USB SGL F5 W/CAP
LLA215R71C473MA14L
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 16V 20% X7R 0805

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DTC114EM供應(yīng)商

DS92LX2122SQE/NOPB

LLA215C70G475ME19L

DTC114EKAT146

DS1005S-150/T&R

IDTQS3VH126QG8

IM02EB2R2K

IDT72T1895L5BBI

DS92LX2122SQE/NOPB

GRM3196T2A180JD01D

IDTQS3VH126S1G

DS1005S-200+T&R

IM02EB5R6K

IDT72T1895L6-7BB

DS9490B#

LLA215R71C473MA14L

DTC114EM 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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