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EGL41B/1詳細規格: 類別：單二極管/整流器; 描述：DIODE FAST 1A 100V DO-213AB; 系列：SUPERECTIFIER®; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二極管類型：標準; 電壓_333Vr444（最大）：100V; 電流_平均整流333Io444：1A; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 1A; 速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢復時間333trr444：50ns; 電流_在Vr時反向漏電：5µA @ 100V; 電容0a0VrwwwwF：20pF @ 4V，1MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DO-213AB，MELF; 供應商設備封裝：DO-213AB; 包裝：帶卷 (TR)

EGL41B-E3/96詳細規格: 類別：單二極管/整流器; 描述：DIODE 1A 100V 50NS DO-213AB; 系列：SUPERECTIFIER®; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二極管類型：標準; 電壓_333Vr444（最大）：100V; 電流_平均整流333Io444：1A; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 1A; 速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢復時間333trr444：50ns; 電流_在Vr時反向漏電：5µA @ 100V; 電容0a0VrwwwwF：20pF @ 4V，1MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DO-213AB，MELF; 供應商設備封裝：DO-213AB; 包裝：Digi-Reel®

EGL41B-E3/96詳細規格: 類別：單二極管/整流器; 描述：DIODE 1A 100V 50NS DO-213AB; 系列：SUPERECTIFIER®; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二極管類型：標準; 電壓_333Vr444（最大）：100V; 電流_平均整流333Io444：1A; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 1A; 速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢復時間333trr444：50ns; 電流_在Vr時反向漏電：5µA @ 100V; 電容0a0VrwwwwF：20pF @ 4V，1MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DO-213AB，MELF; 供應商設備封裝：DO-213AB; 包裝：帶卷 (TR)

EGL41B-E3/96詳細規格: 類別：單二極管/整流器; 描述：DIODE 1A 100V 50NS DO-213AB; 系列：SUPERECTIFIER®; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二極管類型：標準; 電壓_333Vr444（最大）：100V; 電流_平均整流333Io444：1A; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 1A; 速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢復時間333trr444：50ns; 電流_在Vr時反向漏電：5µA @ 100V; 電容0a0VrwwwwF：20pF @ 4V，1MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DO-213AB，MELF; 供應商設備封裝：DO-213AB; 包裝：剪切帶 (CT)

EGL41B-E3/97詳細規格: 類別：單二極管/整流器; 描述：DIODE 1A 100V 50NS MELF; 系列：SUPERECTIFIER®; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二極管類型：標準; 電壓_333Vr444（最大）：100V; 電流_平均整流333Io444：1A; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 1A; 速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢復時間333trr444：50ns; 電流_在Vr時反向漏電：5µA @ 100V; 電容0a0VrwwwwF：20pF @ 4V，1MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DO-213AB，MELF; 供應商設備封裝：DO-213AB; 包裝：帶卷 (TR)

EGL41BHE3/96詳細規格: 類別：單二極管/整流器; 描述：DIODE 1A 100V 50NS MELF; 系列：SUPERECTIFIER®; 制造商：Vishay General Semiconductor; 二極管類型：標準; 電壓_333Vr444（最大）：100V; 電流_平均整流333Io444：1A; 電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1V @ 1A; 速度：快速恢復 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢復時間333trr444：50ns; 電流_在Vr時反向漏電：5µA @ 100V; 電容0a0VrwwwwF：20pF @ 4V，1MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DO-213AB，MELF; 供應商設備封裝：DO-213AB; 包裝：帶卷 (TR)

FDC6432SH
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 MOSFET/SYNCFET N/PCH SSOT-6
C2012Y5V1A475Z/0.85
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 10V Y5V 0805
EGL41A-E3/97
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF DIODE 1A 50V 50NS MELF
EHF-FD1555
RF 定向耦合器 Panasonic Electronic Components 0606（1616 公制） DIRECTIONAL COUPLER 800MHZ 20DB
C315C103M1U5CA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 10000PF 100V 20% RADIAL
EL4340IU
線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 Intersil 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX AMP TRPL 500MHZ 24-QSOP
CRCW20106K65FKTF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 6.65K OHM 3/4W 1% 2010 SMD
C2012Y5V1A475Z/0.85
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 4.7UF 10V Y5V 0805
FDC653N
FET - 單 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
C315C103M1U5TA
陶瓷 Kemet 徑向 CAP CER 10000PF 100V 20% RADIAL
EHF-FD1624B
平衡-不平衡變壓器 Panasonic Electronic Components 0.063" L x 0.063" W x 0.026" H（1.60mm x 1.60mm x 0.65mm） BALUN HYBRID 1600-1950 MHZ 1:4
CRCW20106M34FKTF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 6.34M OHM 3/4W 1% 2010 SMD
EL4342ILZA
線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC AMP MULTI TRPL 500MHZ 32QFN
ECS-196.6-S-4
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 19.6608 MHZ SER 49US
EGL41C-E3/96
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF DIODE 1A 150V 50NS MELF

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EGL41B 全國供應商、價格、PDF資料

EGL41B/1詳細規格

EGL41B-E3/96詳細規格

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C2012Y5V1A475Z/0.85

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EHF-FD1555

C315C103M1U5CA

EL4340IU

CRCW20106K65FKTF

C2012Y5V1A475Z/0.85

FDC653N

C315C103M1U5TA

EHF-FD1624B

CRCW20106M34FKTF

EL4342ILZA

ECS-196.6-S-4

EGL41C-E3/96