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EMD詳細規格: 類別：尖端，噴嘴; 描述：TIP REPLACEMENT CONICAL .015"; 系列：Weller®; 制造商：Apex Tool Group; 尖端_類型：-; 尖端_尺寸：-; 尖端_形狀：圓錐形; 溫度范圍：-; 適用于相關產品：-

EMD12T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：帶卷 (TR)

EMD12T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

EMD12T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PNP/NPN 50V 30MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：47k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：68 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：Digi-Reel®

EMD22T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，2.5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

EMD22T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，2.5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：Digi-Reel®

ECS-2033-080-BN
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 8.000 MHZ 3.3V SMD
ECS-162.5-20-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257MHZ 20PF SMD
ECS-196-20-23B-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 19.6608MHZ 20PF SMD
EMD22T2R
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6
ERJ-1GEF1213C
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0201（0603 公制） RES 121K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
CRCW04021R13FNED
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 1.13 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
CRCW02016K81FKED
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0201（0603 公制） RES 6.81K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
CRCW0201160RFKED
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0201（0603 公制） RES 160 OHM 1/20W 1% 0201 SMD
ECS-162.57-18-5PXEN-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257 MHZ 18PF SMD
ECQ-U2A473MG
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 275VAC RADIAL
ERJ-1GEF1240C
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0201（0603 公制） RES 124 OHM 1/20W 1% 0201 SMD
CRCW04021R20FKED
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 1.20 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
CRCW0201715KFNED
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0201（0603 公制） RES 715K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
ECS-196-20-33-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 19.6608 MHZ 20PF SMD
ECS-162.57-20-33-CKM-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 16.257 MHZ 20PF SMD